Благодаря развитию технологии за крайние 20 лет производительность процессоров 64 Мбит и поболее. Время доступа к памяти уменьшилось всего в пару раз, и лишь выросла на несколько порядков, а емкость одной микросхемы памяти возросла с 1 Кбит до микросхемы типа SDRAM обеспечивают в пакетном режиме передачу слова за один такт 66 МГц шины, а 1-ое обращение занимает от 3 до 5 тактов. EDO-память еще медлительнее — 5 тактов процессоры зарастают многоуровневыми кэшами, но с повышением частоты процессора обращение по новенькому адресу и по два на каждый последующий.
Для увеличения эффективности работы (а Pentium II-333, к примеру, работает с умножением частоты шины на 5) производительность системы в целом растет в еще наименьшей степени. По этому, хотя посреди этого года и памяти при сохранении применимой стоимости. В текущее время более многообещающей на ожидаются системы с частотой шины 100 МГц, повсевременно ищутся методы увеличения быстродействия наиблежайшие пару лет является разработка Direct Rambus, разработанная компанией Rambus Inc. и поддерживаемая всеми основными производителями памяти и наборов микросхем. новейший интерфейс памяти — Direct Rambus, который работает на порядок скорее современных Для увеличения производительности памяти разрабами Rambus был предложен конструктивно DRAM. Архитектура Direct Rambus состоит из 3-х главных компонентов: контроллер памяти, канал Rambus и RDRAM. строго параллельно для выравнивания задержек, из которых 16 либо 18 употребляются для На физическом уровне, канал Rambus представляет собой шину из 30 проводников, разведенных на плате передачи данных (две группы по восемь), а другие для управления и синхронизации. На одном конце шины находится контроллер памяти, на другом она подтягивается резисторами переключения употребляются низковольтные сигналы со средним напряжением 1,4 В, напряжением до уровня логического нуля для угнетения отражения сигналов. Для сокращения времени логического нуля 1,8 В и логической единицы 1,0 В. Синхронизация в системе осуществляется от задающего генератора, который находится на самом большом удалении от микросхемы контроллера. RDRAM. По его направлениям синхронизируется передача данных из памяти в контроллер. Дойдя до Сигнал от него именуется ClockToHost и идет до контроллера с отводом к каждой микросхеме контроллера, этот сигнал разворачивается и идет обратно, называясь ClockFromHost. По его направлениям синхронизируется передача данных из контроллера в память. Данные передаются по 800 Мбит на линию, что для всей шины составляет 1,6 Gb/с (16 проводников по 800 Мбит/с каждому фронту тактового сигнала частотой 400 МГц, что соответствует скорости передачи каждый). Для компенсации различия длины проводников различных микросхем RDRAM, для каждой микросхемы предвидено программирование времени задержки чтения, так что для контроллера на канал. памяти действенная задержка схожа для всех микросхем памяти, которых быть может до 32 На логическом уровне данные меж контроллером и памятью передаются пакетами. Каждый пакет занимает четыре периода тактовой частоты (10 нс). В канале полосы данных, строк и передаваться сразу для различных банков одной микросхемы либо различных микросхем. столбцов на сто процентов независимы, потому команды строк, команды столбцов и данные могут Передаваемые по шине пакеты делятся на три типа: пакеты строк, пакеты столбцов и пакеты данных. регенерации также команды переключения режимов энергопотребления. Пакеты столбцов Пакеты строк передаются по трем линиям ROW и делятся на пакеты активации, отмены, передаются по 5 линиям COL и состоят из 2-ух полей. 1-ое поле описывает основную операцию записи либо чтения. 2-ое поле может указывать на внедрение маски записи либо Так как пакеты данных передаются за четыре периода тактового сигнала, и, соответственно, содержать расширенный код операции. При операциях с маской она передается по линиям данных. за восемь периодов шины, их длина составляет 16 б, а время передачи составляет 10 нс. Микросхемы RDRAM имеют внутреннюю 128-разрядную шину данных, что дозволяет передавать 16 б пакета, потому запись можно осуществлять для случайного числа б (от 1 до 16) в б по каждому адресу столбца. При записи с маской каждый бит маски соответствует пределах пакета. Операция записи может следовать сходу за чтением, но нужно сделать некую задержку, равную времени прохождения сигнала по каналу. Это время составляет 2,5 составляет до 30 нс). нс для маленьких каналов и может доходить до 10 нс для длинноватых (для SDRAM-100 эта величина Любая запись в канале быть может конвейеризована. При использовании конвейера время задержки первого пакета данных составляет 50 нс, а другие операции чтения-записи При всем этом, для поочередного чередования 2-ух операций записи и 2-ух чтения, адресованных осуществляются безпрерывно — задержка вносится только при смене операции с записи на чтение. к одной микросхеме, пропускная способность шины составит 86% от предельной, а при адресации к различным — 95%. Таковым образом, в интерфейсе Direct Rambus для заслуги высочайшей главные принципы: производительности и увеличения эффективности полосы пропускания употребляются последующие Двухбайтовая шина с частотой 800 МГц, обеспечивающая пиковую пропускную способность 1,6 Gb/с; Раздельные шины данных, строк и столбцов, работающие независимо и параллельно; Микросхемы RDRAM несколько различаются от обыденных типов динамической памяти. Внутреннее Уменьшение взаимного влияния банков. ядро имеет 128-разрядную шину данных, функционирующую на частоте 1/8 системной, т.е. 100 МГц. 64 Мбит кристалл содержит восемь независящих либо 16 сдвоенных банков. Поддержка ядром разделяющих общие усилители записи/чтения. Построенная из таковых модулей память объемом 64 технологии разбиения банков дозволяет представить независящий банк как два сдвоенных, Mбайта будет содержать 64 либо 128 банков. Повышение числа банков уменьшает зависимость меж запросами к памяти, что положительно сказывается на производительности. состояния энергопотребления: Active, Standby, Nap и PowerDown. В режиме Active устройство Для обеспечения малого энергопотребления в микросхемах RDRAM предвидено четыре готово к немедленной реакции на запрос данных, но потребляет самую большую энергию. В отличие от иных типов DRAM, интерфейс Direct Rambus дозволяет находиться в этом режиме лишь той энергопотреблением. По завершении обмена данными, микросхема автоматом перебегает микросхеме, с которой делается обмен данными, а остальным — в режиме с наименьшим в режим Standby. Для предстоящего уменьшения энергопотребления, часть микросхем быть может переведена с режим Nap, переход из которого в режим Active занимает меньше времени, чем из Контроллер памяти Rambus обеспечивает поддержку протокола Direct Rambus Channel, управление PowerDown, а энергопотребление меньше, чем в Standby. шиной Rambus и преобразование ее протокола с частотой до 800 МГц в обычный интерфейс с шинами адреса данных и управления с восьми - либо шестнадцатибайтной шиной данных с рабочей Микросхемы RDRAM собираются в модули RIMM, снаружи подобные DIMM. В каждый модуль может частотой до 200 МГц (64 разряда) и до 100 МГц (128 разрядов). быть установлено до 16 микросхем RDRAM (по восемь с каждой стороны). Модули RIMM могут быть применены на материнских платах со обычными форм-факторами ATX, NTX и mini-NLX. На 256, 512 Mбайт и 1 Гбайт. плате могут быть установлены до 3-х разъемов RIMM. Модули могут иметь размер 32, 64, 128, Ведущие поставщики наборов микросхем уже объявили о поддержке RDRAM. Данная статья была размещена в журнальчике #6(22) за 1998 год К продукции компании Logitech покупатели часто предъявляют претензии по поводу больших цен, время от времени слышны прирекания и к качеству («10 годов назад не тот был Логитек, а сейчас испортился»), но что никогда и никем не оспаривается, так это инновационность таковых, казалось бы, консервативных товаров, как мыши и клавиатуры. Справедливости ради, не все нововведения идиентично тепло воспринимаются юзерами, но не ошибается лишь тот, кто ничего не делает. Тем паче что почти все зависит от инертности потребителя — ведь на всех рынках новейшие идеи с трудом прокладывают для себя дорогу. Производителям изредка удается сделать такое, что становится новеньким эталоном сходу и неоспоримо, тем наиболее, когда идет речь о периферии, где освоение новейших идей постоянно соединено с «ломкой» уже наработанных способностей. Даже обыденные мышиные скроллеры типа колесика прокладывали для себя дорогу не так быстро. Это на данный момент мышь без скроллера трудно встретить, а главным типом крайнего стало конкретно колесико, но ведь ситуация стала такой не сходу.
Для увеличения эффективности работы (а Pentium II-333, к примеру, работает с умножением частоты шины на 5) производительность системы в целом растет в еще наименьшей степени. По этому, хотя посреди этого года и памяти при сохранении применимой стоимости. В текущее время более многообещающей на ожидаются системы с частотой шины 100 МГц, повсевременно ищутся методы увеличения быстродействия наиблежайшие пару лет является разработка Direct Rambus, разработанная компанией Rambus Inc. и поддерживаемая всеми основными производителями памяти и наборов микросхем. новейший интерфейс памяти — Direct Rambus, который работает на порядок скорее современных Для увеличения производительности памяти разрабами Rambus был предложен конструктивно DRAM. Архитектура Direct Rambus состоит из 3-х главных компонентов: контроллер памяти, канал Rambus и RDRAM. строго параллельно для выравнивания задержек, из которых 16 либо 18 употребляются для На физическом уровне, канал Rambus представляет собой шину из 30 проводников, разведенных на плате передачи данных (две группы по восемь), а другие для управления и синхронизации. На одном конце шины находится контроллер памяти, на другом она подтягивается резисторами переключения употребляются низковольтные сигналы со средним напряжением 1,4 В, напряжением до уровня логического нуля для угнетения отражения сигналов. Для сокращения времени логического нуля 1,8 В и логической единицы 1,0 В. Синхронизация в системе осуществляется от задающего генератора, который находится на самом большом удалении от микросхемы контроллера. RDRAM. По его направлениям синхронизируется передача данных из памяти в контроллер. Дойдя до Сигнал от него именуется ClockToHost и идет до контроллера с отводом к каждой микросхеме контроллера, этот сигнал разворачивается и идет обратно, называясь ClockFromHost. По его направлениям синхронизируется передача данных из контроллера в память. Данные передаются по 800 Мбит на линию, что для всей шины составляет 1,6 Gb/с (16 проводников по 800 Мбит/с каждому фронту тактового сигнала частотой 400 МГц, что соответствует скорости передачи каждый). Для компенсации различия длины проводников различных микросхем RDRAM, для каждой микросхемы предвидено программирование времени задержки чтения, так что для контроллера на канал. памяти действенная задержка схожа для всех микросхем памяти, которых быть может до 32 На логическом уровне данные меж контроллером и памятью передаются пакетами. Каждый пакет занимает четыре периода тактовой частоты (10 нс). В канале полосы данных, строк и передаваться сразу для различных банков одной микросхемы либо различных микросхем. столбцов на сто процентов независимы, потому команды строк, команды столбцов и данные могут Передаваемые по шине пакеты делятся на три типа: пакеты строк, пакеты столбцов и пакеты данных. регенерации также команды переключения режимов энергопотребления. Пакеты столбцов Пакеты строк передаются по трем линиям ROW и делятся на пакеты активации, отмены, передаются по 5 линиям COL и состоят из 2-ух полей. 1-ое поле описывает основную операцию записи либо чтения. 2-ое поле может указывать на внедрение маски записи либо Так как пакеты данных передаются за четыре периода тактового сигнала, и, соответственно, содержать расширенный код операции. При операциях с маской она передается по линиям данных. за восемь периодов шины, их длина составляет 16 б, а время передачи составляет 10 нс. Микросхемы RDRAM имеют внутреннюю 128-разрядную шину данных, что дозволяет передавать 16 б пакета, потому запись можно осуществлять для случайного числа б (от 1 до 16) в б по каждому адресу столбца. При записи с маской каждый бит маски соответствует пределах пакета. Операция записи может следовать сходу за чтением, но нужно сделать некую задержку, равную времени прохождения сигнала по каналу. Это время составляет 2,5 составляет до 30 нс). нс для маленьких каналов и может доходить до 10 нс для длинноватых (для SDRAM-100 эта величина Любая запись в канале быть может конвейеризована. При использовании конвейера время задержки первого пакета данных составляет 50 нс, а другие операции чтения-записи При всем этом, для поочередного чередования 2-ух операций записи и 2-ух чтения, адресованных осуществляются безпрерывно — задержка вносится только при смене операции с записи на чтение. к одной микросхеме, пропускная способность шины составит 86% от предельной, а при адресации к различным — 95%. Таковым образом, в интерфейсе Direct Rambus для заслуги высочайшей главные принципы: производительности и увеличения эффективности полосы пропускания употребляются последующие Двухбайтовая шина с частотой 800 МГц, обеспечивающая пиковую пропускную способность 1,6 Gb/с; Раздельные шины данных, строк и столбцов, работающие независимо и параллельно; Микросхемы RDRAM несколько различаются от обыденных типов динамической памяти. Внутреннее Уменьшение взаимного влияния банков. ядро имеет 128-разрядную шину данных, функционирующую на частоте 1/8 системной, т.е. 100 МГц. 64 Мбит кристалл содержит восемь независящих либо 16 сдвоенных банков. Поддержка ядром разделяющих общие усилители записи/чтения. Построенная из таковых модулей память объемом 64 технологии разбиения банков дозволяет представить независящий банк как два сдвоенных, Mбайта будет содержать 64 либо 128 банков. Повышение числа банков уменьшает зависимость меж запросами к памяти, что положительно сказывается на производительности. состояния энергопотребления: Active, Standby, Nap и PowerDown. В режиме Active устройство Для обеспечения малого энергопотребления в микросхемах RDRAM предвидено четыре готово к немедленной реакции на запрос данных, но потребляет самую большую энергию. В отличие от иных типов DRAM, интерфейс Direct Rambus дозволяет находиться в этом режиме лишь той энергопотреблением. По завершении обмена данными, микросхема автоматом перебегает микросхеме, с которой делается обмен данными, а остальным — в режиме с наименьшим в режим Standby. Для предстоящего уменьшения энергопотребления, часть микросхем быть может переведена с режим Nap, переход из которого в режим Active занимает меньше времени, чем из Контроллер памяти Rambus обеспечивает поддержку протокола Direct Rambus Channel, управление PowerDown, а энергопотребление меньше, чем в Standby. шиной Rambus и преобразование ее протокола с частотой до 800 МГц в обычный интерфейс с шинами адреса данных и управления с восьми - либо шестнадцатибайтной шиной данных с рабочей Микросхемы RDRAM собираются в модули RIMM, снаружи подобные DIMM. В каждый модуль может частотой до 200 МГц (64 разряда) и до 100 МГц (128 разрядов). быть установлено до 16 микросхем RDRAM (по восемь с каждой стороны). Модули RIMM могут быть применены на материнских платах со обычными форм-факторами ATX, NTX и mini-NLX. На 256, 512 Mбайт и 1 Гбайт. плате могут быть установлены до 3-х разъемов RIMM. Модули могут иметь размер 32, 64, 128, Ведущие поставщики наборов микросхем уже объявили о поддержке RDRAM. Данная статья была размещена в журнальчике #6(22) за 1998 год К продукции компании Logitech покупатели часто предъявляют претензии по поводу больших цен, время от времени слышны прирекания и к качеству («10 годов назад не тот был Логитек, а сейчас испортился»), но что никогда и никем не оспаривается, так это инновационность таковых, казалось бы, консервативных товаров, как мыши и клавиатуры. Справедливости ради, не все нововведения идиентично тепло воспринимаются юзерами, но не ошибается лишь тот, кто ничего не делает. Тем паче что почти все зависит от инертности потребителя — ведь на всех рынках новейшие идеи с трудом прокладывают для себя дорогу. Производителям изредка удается сделать такое, что становится новеньким эталоном сходу и неоспоримо, тем наиболее, когда идет речь о периферии, где освоение новейших идей постоянно соединено с «ломкой» уже наработанных способностей. Даже обыденные мышиные скроллеры типа колесика прокладывали для себя дорогу не так быстро. Это на данный момент мышь без скроллера трудно встретить, а главным типом крайнего стало конкретно колесико, но ведь ситуация стала такой не сходу.