iТоги 2006 года. Десктопная оперативная память вышла еще в январе 2005 года, другими словами приблизительно 2 года назад), но состоялись существенно наиболее принципиальные действия, содействующие предстоящему совершенствованию этого типа памяти. Для начала, перечислим их кратко: это анонс платформы AMD «AM2», введение эталона Enhanced Performance Profiles (EPP) совместными усилиями компаний Corsair Memory и NVIDIA и, в конце концов, обширное распространение двухъядерных процессоров, способных в большей степени утилизировать все наиболее вырастающую производительность подсистемы памяти.
А сейчас разглядим подробнее любой из этих причин и поглядим, какой вклад они внесли в развитие технологий десктопной оперативной памяти. 2006 год можно именовать вторым годом постепенного, устойчивого эволюционного развития десктопной оперативной памяти типа DDR2. В этом году не было принято новейших официальных стандартов этого типа памяти (крайняя ревизия документа JEDEC Начнем с анонса новейшей платформы AMD «AM2» — новейшей ревизии ядра процессоров AMD Athlon 64 X2 с двухканальным встроенным контроллером памяти, поддерживающим память эталона DDR2 (официально — от DDR2-400 до DDR2-800 включительно). Ранее момента единственным настоящим применением памяти типа DDR2 являлись платформы под процессоры Intel, основанные на чипсетах одноименного производителя (серий Intel 915/925/945/955). В то же время, обладателям платформ AMD и новеньким покупателям, отдающим предпочтение процессорам данной для нас компании, приходилось наслаждаться памятью уже устаревающего эталона DDR. Официально — DDR-400, с некой натяжкой — модулями памяти неофициальной категории вплоть до «DDR-550» (процессоры AMD K8 ревизии E по своим заявленным чертам способны работать с памятью DDR на частоте до 275 МГц, настоящий предел ограничен частотами приблизительно 233-250 МГц, что соединено с ограничением на внедрение лишь целых делителей для частоты памяти по отношению к частоте ядра процессора). Но согласитесь, что даже сравнимо редкие (и, что важно, значительно наиболее дорогие) модули памяти «DDR-550» смотрятся далековато не так привлекательно, как DDR2-667 и, тем паче, DDR2-800 и выше. С момента анонса новейшей платформы AMD ситуация уравнялась, новенькая платформа довольно быстро получила сравнимо обширное распространение и, можно огласить, фактически вытеснила модули памяти DDR из сектора high-end, и даже mid-range решений. На 1-ый взор, все смотрится отлично, но поглядим, как настоящей оказалась поддержка DDR2 в новейшей платформе от AMD. Для этого обратимся к нашим исследованиям, описанным в статьях « Вроде бы там ни было, развитие технологии памяти DDR2 пошло ввысь — сначала, по частотам (в сторону их роста) и таймингам (в сторону уменьшения). Отметка в 500 МГц («DDR2-1000») была покорена еще в прошедшем году, потому новеньким неофициальным «эталоном» этого года можно признать модули памяти высокоскоростной категории «DDR2-1066» (с обычной для их схемой таймингов 5-5-5-15-2T). Достижению данной для нас отметки содействовало принятие новейшего эталона, вместе разработанного компаниями Corsair и NVIDIA, называемого » и « ». Проведенные исследования дозволили сделать ряд принципиальных выводов, важный из которых заключается в том, что современная оперативная память (даже на уровне обыкновенной на нынешний день двухканальной DDR2-800) владеет настолько высочайшим потенциалом пропускной возможности, что точно перестает быть «узеньким местом» системы. Вправду, мы проявили, что пропускная способность двухканальной DDR2-800 (12.8 ГБ/с) оказывается сравнимой со скоростью передачи данных снутри самого ядра процессора (средняя скорость обмена данными по L1-L2 шине процессора оказывается равной всего 8.0 ГБ/с при частоте ядра процессора 2 ГГц). Частично, ситуацию выручает внедрение наиболее больших тактовых частот процессорного ядра (как было показано во 2-ой части исследования с процессором Athlon 64 FX-62), но для настоящего раскрытия потенциала очевидно требуется кардинальная переделка уже достаточно устаревшей (приблизительно 5-летней давности) архитектуры процессора. Резюмируя вышеупомянутое, применительно к оперативной памяти, скажем последующее: поддержка DDR2 в новейших процессорах AMD «AM2» была реализована, при этом довольно всеполноценно и отменно (встроенный контроллер памяти не вызывает приреканий), но сами процессоры, архитектура которых осталась все той же, оказались не способны полностью потребовать ее высочайший потенциал, соответствующий для скоростных модулей. Утилизация пропускной возможности двухканальной DDR2-800 в лучшем случае не превосходила 70%. (EPP). Сущность этого эталона заключается в записи доп характеристик узкой опции подсистемы памяти в ранее неиспользуемую область микросхемы SPD (Serial Presence Detect) модулей памяти. При всем этом «обычная» часть данных SPD по-прежнему содержит в себе лишь самые главные характеристики памяти эталона JEDEC, тогда как новейшие Enhanced Performance Profiles содержат множество принципиальных временных и электрических характеристик, обойденных в обычных SPD, — таковых как задержки командного интерфейса (Command Rate) и напряжение питания модулей. Применение такового подхода дозволяет модулям памяти, оснащенным EPP, работать в согласовании с их хорошими режимами работы, данными производителем, сохраняя при всем этом сопоставимость со эталоном JEDEC. Для полной реализации преимуществ Enhanced Performance Profiles нужна поддержка этого эталона со стороны материнских плат — они должны быть в состоянии как распознать наличие профилей EPP, так и установить рабочий режим модулей памяти в согласовании с данными этих профилей. Полностью разумеется, что первыми модулями, поддерживающими новейший эталон EPP, стали модули памяти от 1-го из разрабов эталона — компании Corsair ( , , представляющие из себя 2-ГБ набор модулей DDR2-1066 с задержками 5-5-5-15-2T), в то время как поддержка EPP в материнских платах была довольно быстро реализована наикрупнейшими производителями системных плат под новейшую платформу AMD «AM2», основанных на чипсетах NVIDIA nForce 570/590 SLI. Скорому возникновению таковых материнских плат содействовало удачное сочетание событий — фактически одновременный анонс платформы AMD «AM2» и эталона EPP. Невзирая на разработку эталона EPP компаниями Corsair и NVIDIA, применение эталона EPP совсем не ограничилось продукцией компании Corsair — в довольно скором времени инициатива была подхвачена таковыми ведущими компаниями-производителями памяти, как , , Применение профилей EPP, задающих лучший режим работы подсистемы памяти, содействовало предстоящему росту частот памяти, с одной стороны, и понижению ее задержек — с иной. Рекорды частоты и таймингов ставились один за одним. Посреди важных достижений промышленности, в хронологическом порядке, отметим новости модулей и др. TWIN2X2048-6400C4 (DDR2-800, 4-4-4-12-2T) и TWIN2X2048-8500C5 (DDR2-1066, 5-5-5-15-2T), DDR2-1066 PC8500 Ultra (5-5-5-15, реально достигающие рейтинг PC9600 DDR2-1200, 4-5-4-10), Firestix PC2-10000 (DDR2-1200) с возможностью работы на частоте до 625 МГц (DDR2-1250), PC2-9000 Ti Alpha VX2 (DDR2-1120), модулей памяти японского производителя DDR2 PC2-10000 (DDR2-1250), «низколатентных» модулей TWIN2X2048-6400C3 (DDR2-800, 3-4-3-9-2T), также модулей (TWIN2X2048-9136C5D, DDR2-1142, 5-5-5-15-2T и TWIN2X2048-8888C4D, DDR2-1111, 4-4-4-12-2T, реально способные работать на частотах 600-625 МГц) с неповторимой технологией остывания Dual-path Heat Xchange (DHX) и опциональной воздушной охлаждающей системой DOMINATOR Airflow Fans. Прямо за ней, о выпуске схожих товаров объявила компания OCZ Technology, представив модули HyperX PC9200 (DDR2-1150, 5-5-5-15) и PC9600 (DDR2-1200, 5-5-5-15). Таковым образом, настоящий частотный предел технологии DDR2 на сей день составляет уже 625 МГц (DDR2-1250), а предел по таймингам модулей при обычной частоте (DDR2-800) — CL=3. И в том, и в другом случае настолько экстремальный разгон достигается ценой значимого увеличения питающего напряжения модулей — до 2.4-2.5 В включительно. Чтоб оценить, как велико такое значение напряжения, напомним, что по эталону JEDEC напряжение питания модулей памяти DDR2 составляет всего 1.8 В, тогда как цифра в 2.5 В привычна для модулей памяти предшествующего поколения — эталона DDR. Естественно, настолько существенное повышение напряжения питания (приблизительно на 38%) привело к пропорциональному повышению рассеиваемой мощности (в первом приближении, по квадратичной зависимости — приблизительно на 93%), что значительно затрудняет предстоящий рост частот DDR2. Возможными вариациями решения задачи могут являться или переход на новейший эталон DDR3 (о нем мы кратко побеседуем несколько позднее), или применение нетривиальной системы остывания модулей. По этому пути отправь компании Corsair и OCZ. 1-ая из их к концу года представила модули серии (DDR2-1150, 5-5-5-18, 2.4 В) с технологией FlexXLC (Xtreme Liquid Connection), позволяющей опционально подключать модули к системе водяного остывания для доп разгона. Такая тенденция развития скоростного и «низколатентного» направления памяти DDR2. Но мы уже не один раз серьезно задавались вопросцем о осмысленности этого пути развития. Частично, данная тема уже была затронута выше, в связи с рассмотрением новейшей платформы AMD «AM2», для которой даже двухканальная DDR2-800 уже оказалась в некой мере лишней. Но «избыточность» подсистемы памяти по пропускной возможности была выявлена только в случае «одноядерного» доступа к ней, другими словами, в первом приближении, при использовании только половины потенциала современных двухъядерных процессоров. В связи с сиим, закономерно возникает вопросец — может быть, высокоскоростные модули памяти окажутся нужными для двухъядерных систем, при обращении к памяти обоих ядер процессора? Ответом на этот вопросец явилось наше еще одно низкоуровневое исследование, именуемое « Тем более, в направлениях развития DDR2 в 2006 году можно наметить еще одну тенденцию, на сей раз фактически полезную. Как ни удивительно, развитие данной для нас тенденции обосновано не эволюцией платформ, а будущим выходом новейшей операционной системы от Microsoft — Windows Vista, очень требовательной к размерам памяти (отмечается, что для удобной работы в данной ОС будет нужно 2-4 ГБ оперативной памяти). Потому, обозначенная тенденция заключается в увеличении размера памяти, приходящегося на один модуль. Обычной на нынешний день продукцией производителей памяти можно считать модули, представляющие из себя 2-ГБ двухканальные комплекты из двухбанковых (16-микросхемных) модулей памяти емкостью 1 ГБ каждый. Компании-производители памяти ставят собственной задачей повышение этого размера до 2 ГБ на модуль. Первой о для себя заявила компания ». В этом исследовании мы исследовали эффективность одновременного обращения к памяти со стороны обоих ядер современных двухъядерных процессоров — Intel Core 2 Duo и AMD Athlon 64 X2 и проявили, что «двухъядерный» доступ к памяти вправду приводит к повышению утилизации ее пропускной возможности. Но такое повышение нельзя считать приметным. Так, на платформе Intel Core 2 Duo «узеньким местом» системы выступила 266-МГц системная шина с пиковой пропускной способностью 8.53 ГБ/с (для сопоставления, пиковая ПСП двухканальной DDR2-800 составляет 12.8 ГБ/с). Что касается платформы AMD «AM2» — где, казалось бы, при доступе в память сходу 2-мя ядрами передача данных могла бы осуществляться параллельно с двойной скоростью, настоящий прирост ПСП составил только приблизительно 17% (абсолютный показатель наибольшей настоящей ПСП — 9.3 ГБ/с). По всей видимости, новеньким ограничением платформы AMD «AM2» явились индивидуальности реализации общей шины системных запросов и/либо шины памяти интегрированного контроллера памяти. Вроде бы там ни было, факт остается фактом: настоящий потенциал даже двухканальной DDR2-800 в очередной раз остался нераскрытым, не говоря уж о наиболее высокоскоростных ее вариантах — от DDR2-1066 до DDR2-1200+. , представившая под слоганом «Будь готов к Vista!» 2-ГБ модули памяти далековато не самой скоростной категории DDR2-533 (3-3-3-8). С намного наиболее суровым заявлением поближе к концу года выступила компания , представив 2-ГБ варианты модулей DDR2-667 MQ (5-5-5-15) и DDR2-800 MQ (6-6-6-18). Все из перечисленных модулей работают при сравнимо больших задержках (также при обычном напряжении питания), но не следует забывать, что рассчитаны они, быстрее, на массового потребителя, ежели на энтузиастов-оверклокеров. компаний AMD и SimpleTech о совместной работе по формированию спецификации модулей памяти данного типа. Отмечается, что емкость модулей DDR3 будет находиться в пределах от 512 Мб до 32 Гб. Что касается сроков выхода продукции, тестирование модулей обязано начаться в 2007 году, а серийный выпуск — только в 2008 году. Но вышеназванные компании — далековато не единственные участники развития этого направления промышленности. Так, один из производителей памяти, пожелавший остаться неизвестным, Напоследок, несколько слов о будущей памяти новейшего эталона DDR3, ранешние эталоны которой были представлены некими производителями еще в прошедшем году. Напомним, что DDR3 можно считать естественным продолжением развития идеологии DDR: переход от DDR2 к DDR3 аналогичен переходу от DDR к DDR2. Он подразумевает введение новейшей схемы 8n-prefetch заместо 4n-prefetch, применяемой в текущее время в DDR2 (напомним, что в DDR, соответственно, применялась схема 2n-prefetch), что проявляется в виде предстоящего уменьшения в два раза своей частоты функционирования микросхем памяти (сиим достигается уменьшение их энергопотребления, но ценой роста задержек) и повышением во столько же раз частоты «наружного интерфейса» модулей памяти. Так, планируемая частота функционирования первых модулей DDR3 составляет 800 МГц с возможностью роста до 1600 МГц (что ровно в 2 раза превосходит официальный частотный предел DDR2). Принципиальным шагом в этом направлении в 2006 году можно считать о существенно наиболее ранешних сроках анонса и поставок модулей памяти DDR3 — совместно с выходом первых чипсетов семейства . Это только догадки, как оно окажется по сути — поживем, увидим. Самое основное, чтоб ведущие производители платформ (сначала, процессоров и чипсетов) к тому моменту серьезно задумались о том, что «узким местом» системы все в большей и большей мере стают конкретно эти составляющие платформы, а совсем не подсистема памяти. Ведь спектр пропускной возможности будущей DDR3 смотрится очень убедительно — от 12.8 ГБ/с для DDR3-800 (в двухканальном режиме) до 25.6 ГБ/с для DDR3-1600, тогда как обычная полоса пропускания данных снутри процессоров и/либо чипсетов на сей день чуть ли превосходит даже 10 ГБ/с. Как проявили наши недавние исследования, не сильно выручает положение и «двухъядерность» современных процессоров. Так что, чтоб получить настоящую выгоду от DDR3, переделку компонентов платформы придется осуществлять на еще наиболее глубочайшем уровне.
А сейчас разглядим подробнее любой из этих причин и поглядим, какой вклад они внесли в развитие технологий десктопной оперативной памяти. 2006 год можно именовать вторым годом постепенного, устойчивого эволюционного развития десктопной оперативной памяти типа DDR2. В этом году не было принято новейших официальных стандартов этого типа памяти (крайняя ревизия документа JEDEC Начнем с анонса новейшей платформы AMD «AM2» — новейшей ревизии ядра процессоров AMD Athlon 64 X2 с двухканальным встроенным контроллером памяти, поддерживающим память эталона DDR2 (официально — от DDR2-400 до DDR2-800 включительно). Ранее момента единственным настоящим применением памяти типа DDR2 являлись платформы под процессоры Intel, основанные на чипсетах одноименного производителя (серий Intel 915/925/945/955). В то же время, обладателям платформ AMD и новеньким покупателям, отдающим предпочтение процессорам данной для нас компании, приходилось наслаждаться памятью уже устаревающего эталона DDR. Официально — DDR-400, с некой натяжкой — модулями памяти неофициальной категории вплоть до «DDR-550» (процессоры AMD K8 ревизии E по своим заявленным чертам способны работать с памятью DDR на частоте до 275 МГц, настоящий предел ограничен частотами приблизительно 233-250 МГц, что соединено с ограничением на внедрение лишь целых делителей для частоты памяти по отношению к частоте ядра процессора). Но согласитесь, что даже сравнимо редкие (и, что важно, значительно наиболее дорогие) модули памяти «DDR-550» смотрятся далековато не так привлекательно, как DDR2-667 и, тем паче, DDR2-800 и выше. С момента анонса новейшей платформы AMD ситуация уравнялась, новенькая платформа довольно быстро получила сравнимо обширное распространение и, можно огласить, фактически вытеснила модули памяти DDR из сектора high-end, и даже mid-range решений. На 1-ый взор, все смотрится отлично, но поглядим, как настоящей оказалась поддержка DDR2 в новейшей платформе от AMD. Для этого обратимся к нашим исследованиям, описанным в статьях « Вроде бы там ни было, развитие технологии памяти DDR2 пошло ввысь — сначала, по частотам (в сторону их роста) и таймингам (в сторону уменьшения). Отметка в 500 МГц («DDR2-1000») была покорена еще в прошедшем году, потому новеньким неофициальным «эталоном» этого года можно признать модули памяти высокоскоростной категории «DDR2-1066» (с обычной для их схемой таймингов 5-5-5-15-2T). Достижению данной для нас отметки содействовало принятие новейшего эталона, вместе разработанного компаниями Corsair и NVIDIA, называемого » и « ». Проведенные исследования дозволили сделать ряд принципиальных выводов, важный из которых заключается в том, что современная оперативная память (даже на уровне обыкновенной на нынешний день двухканальной DDR2-800) владеет настолько высочайшим потенциалом пропускной возможности, что точно перестает быть «узеньким местом» системы. Вправду, мы проявили, что пропускная способность двухканальной DDR2-800 (12.8 ГБ/с) оказывается сравнимой со скоростью передачи данных снутри самого ядра процессора (средняя скорость обмена данными по L1-L2 шине процессора оказывается равной всего 8.0 ГБ/с при частоте ядра процессора 2 ГГц). Частично, ситуацию выручает внедрение наиболее больших тактовых частот процессорного ядра (как было показано во 2-ой части исследования с процессором Athlon 64 FX-62), но для настоящего раскрытия потенциала очевидно требуется кардинальная переделка уже достаточно устаревшей (приблизительно 5-летней давности) архитектуры процессора. Резюмируя вышеупомянутое, применительно к оперативной памяти, скажем последующее: поддержка DDR2 в новейших процессорах AMD «AM2» была реализована, при этом довольно всеполноценно и отменно (встроенный контроллер памяти не вызывает приреканий), но сами процессоры, архитектура которых осталась все той же, оказались не способны полностью потребовать ее высочайший потенциал, соответствующий для скоростных модулей. Утилизация пропускной возможности двухканальной DDR2-800 в лучшем случае не превосходила 70%. (EPP). Сущность этого эталона заключается в записи доп характеристик узкой опции подсистемы памяти в ранее неиспользуемую область микросхемы SPD (Serial Presence Detect) модулей памяти. При всем этом «обычная» часть данных SPD по-прежнему содержит в себе лишь самые главные характеристики памяти эталона JEDEC, тогда как новейшие Enhanced Performance Profiles содержат множество принципиальных временных и электрических характеристик, обойденных в обычных SPD, — таковых как задержки командного интерфейса (Command Rate) и напряжение питания модулей. Применение такового подхода дозволяет модулям памяти, оснащенным EPP, работать в согласовании с их хорошими режимами работы, данными производителем, сохраняя при всем этом сопоставимость со эталоном JEDEC. Для полной реализации преимуществ Enhanced Performance Profiles нужна поддержка этого эталона со стороны материнских плат — они должны быть в состоянии как распознать наличие профилей EPP, так и установить рабочий режим модулей памяти в согласовании с данными этих профилей. Полностью разумеется, что первыми модулями, поддерживающими новейший эталон EPP, стали модули памяти от 1-го из разрабов эталона — компании Corsair ( , , представляющие из себя 2-ГБ набор модулей DDR2-1066 с задержками 5-5-5-15-2T), в то время как поддержка EPP в материнских платах была довольно быстро реализована наикрупнейшими производителями системных плат под новейшую платформу AMD «AM2», основанных на чипсетах NVIDIA nForce 570/590 SLI. Скорому возникновению таковых материнских плат содействовало удачное сочетание событий — фактически одновременный анонс платформы AMD «AM2» и эталона EPP. Невзирая на разработку эталона EPP компаниями Corsair и NVIDIA, применение эталона EPP совсем не ограничилось продукцией компании Corsair — в довольно скором времени инициатива была подхвачена таковыми ведущими компаниями-производителями памяти, как , , Применение профилей EPP, задающих лучший режим работы подсистемы памяти, содействовало предстоящему росту частот памяти, с одной стороны, и понижению ее задержек — с иной. Рекорды частоты и таймингов ставились один за одним. Посреди важных достижений промышленности, в хронологическом порядке, отметим новости модулей и др. TWIN2X2048-6400C4 (DDR2-800, 4-4-4-12-2T) и TWIN2X2048-8500C5 (DDR2-1066, 5-5-5-15-2T), DDR2-1066 PC8500 Ultra (5-5-5-15, реально достигающие рейтинг PC9600 DDR2-1200, 4-5-4-10), Firestix PC2-10000 (DDR2-1200) с возможностью работы на частоте до 625 МГц (DDR2-1250), PC2-9000 Ti Alpha VX2 (DDR2-1120), модулей памяти японского производителя DDR2 PC2-10000 (DDR2-1250), «низколатентных» модулей TWIN2X2048-6400C3 (DDR2-800, 3-4-3-9-2T), также модулей (TWIN2X2048-9136C5D, DDR2-1142, 5-5-5-15-2T и TWIN2X2048-8888C4D, DDR2-1111, 4-4-4-12-2T, реально способные работать на частотах 600-625 МГц) с неповторимой технологией остывания Dual-path Heat Xchange (DHX) и опциональной воздушной охлаждающей системой DOMINATOR Airflow Fans. Прямо за ней, о выпуске схожих товаров объявила компания OCZ Technology, представив модули HyperX PC9200 (DDR2-1150, 5-5-5-15) и PC9600 (DDR2-1200, 5-5-5-15). Таковым образом, настоящий частотный предел технологии DDR2 на сей день составляет уже 625 МГц (DDR2-1250), а предел по таймингам модулей при обычной частоте (DDR2-800) — CL=3. И в том, и в другом случае настолько экстремальный разгон достигается ценой значимого увеличения питающего напряжения модулей — до 2.4-2.5 В включительно. Чтоб оценить, как велико такое значение напряжения, напомним, что по эталону JEDEC напряжение питания модулей памяти DDR2 составляет всего 1.8 В, тогда как цифра в 2.5 В привычна для модулей памяти предшествующего поколения — эталона DDR. Естественно, настолько существенное повышение напряжения питания (приблизительно на 38%) привело к пропорциональному повышению рассеиваемой мощности (в первом приближении, по квадратичной зависимости — приблизительно на 93%), что значительно затрудняет предстоящий рост частот DDR2. Возможными вариациями решения задачи могут являться или переход на новейший эталон DDR3 (о нем мы кратко побеседуем несколько позднее), или применение нетривиальной системы остывания модулей. По этому пути отправь компании Corsair и OCZ. 1-ая из их к концу года представила модули серии (DDR2-1150, 5-5-5-18, 2.4 В) с технологией FlexXLC (Xtreme Liquid Connection), позволяющей опционально подключать модули к системе водяного остывания для доп разгона. Такая тенденция развития скоростного и «низколатентного» направления памяти DDR2. Но мы уже не один раз серьезно задавались вопросцем о осмысленности этого пути развития. Частично, данная тема уже была затронута выше, в связи с рассмотрением новейшей платформы AMD «AM2», для которой даже двухканальная DDR2-800 уже оказалась в некой мере лишней. Но «избыточность» подсистемы памяти по пропускной возможности была выявлена только в случае «одноядерного» доступа к ней, другими словами, в первом приближении, при использовании только половины потенциала современных двухъядерных процессоров. В связи с сиим, закономерно возникает вопросец — может быть, высокоскоростные модули памяти окажутся нужными для двухъядерных систем, при обращении к памяти обоих ядер процессора? Ответом на этот вопросец явилось наше еще одно низкоуровневое исследование, именуемое « Тем более, в направлениях развития DDR2 в 2006 году можно наметить еще одну тенденцию, на сей раз фактически полезную. Как ни удивительно, развитие данной для нас тенденции обосновано не эволюцией платформ, а будущим выходом новейшей операционной системы от Microsoft — Windows Vista, очень требовательной к размерам памяти (отмечается, что для удобной работы в данной ОС будет нужно 2-4 ГБ оперативной памяти). Потому, обозначенная тенденция заключается в увеличении размера памяти, приходящегося на один модуль. Обычной на нынешний день продукцией производителей памяти можно считать модули, представляющие из себя 2-ГБ двухканальные комплекты из двухбанковых (16-микросхемных) модулей памяти емкостью 1 ГБ каждый. Компании-производители памяти ставят собственной задачей повышение этого размера до 2 ГБ на модуль. Первой о для себя заявила компания ». В этом исследовании мы исследовали эффективность одновременного обращения к памяти со стороны обоих ядер современных двухъядерных процессоров — Intel Core 2 Duo и AMD Athlon 64 X2 и проявили, что «двухъядерный» доступ к памяти вправду приводит к повышению утилизации ее пропускной возможности. Но такое повышение нельзя считать приметным. Так, на платформе Intel Core 2 Duo «узеньким местом» системы выступила 266-МГц системная шина с пиковой пропускной способностью 8.53 ГБ/с (для сопоставления, пиковая ПСП двухканальной DDR2-800 составляет 12.8 ГБ/с). Что касается платформы AMD «AM2» — где, казалось бы, при доступе в память сходу 2-мя ядрами передача данных могла бы осуществляться параллельно с двойной скоростью, настоящий прирост ПСП составил только приблизительно 17% (абсолютный показатель наибольшей настоящей ПСП — 9.3 ГБ/с). По всей видимости, новеньким ограничением платформы AMD «AM2» явились индивидуальности реализации общей шины системных запросов и/либо шины памяти интегрированного контроллера памяти. Вроде бы там ни было, факт остается фактом: настоящий потенциал даже двухканальной DDR2-800 в очередной раз остался нераскрытым, не говоря уж о наиболее высокоскоростных ее вариантах — от DDR2-1066 до DDR2-1200+. , представившая под слоганом «Будь готов к Vista!» 2-ГБ модули памяти далековато не самой скоростной категории DDR2-533 (3-3-3-8). С намного наиболее суровым заявлением поближе к концу года выступила компания , представив 2-ГБ варианты модулей DDR2-667 MQ (5-5-5-15) и DDR2-800 MQ (6-6-6-18). Все из перечисленных модулей работают при сравнимо больших задержках (также при обычном напряжении питания), но не следует забывать, что рассчитаны они, быстрее, на массового потребителя, ежели на энтузиастов-оверклокеров. компаний AMD и SimpleTech о совместной работе по формированию спецификации модулей памяти данного типа. Отмечается, что емкость модулей DDR3 будет находиться в пределах от 512 Мб до 32 Гб. Что касается сроков выхода продукции, тестирование модулей обязано начаться в 2007 году, а серийный выпуск — только в 2008 году. Но вышеназванные компании — далековато не единственные участники развития этого направления промышленности. Так, один из производителей памяти, пожелавший остаться неизвестным, Напоследок, несколько слов о будущей памяти новейшего эталона DDR3, ранешние эталоны которой были представлены некими производителями еще в прошедшем году. Напомним, что DDR3 можно считать естественным продолжением развития идеологии DDR: переход от DDR2 к DDR3 аналогичен переходу от DDR к DDR2. Он подразумевает введение новейшей схемы 8n-prefetch заместо 4n-prefetch, применяемой в текущее время в DDR2 (напомним, что в DDR, соответственно, применялась схема 2n-prefetch), что проявляется в виде предстоящего уменьшения в два раза своей частоты функционирования микросхем памяти (сиим достигается уменьшение их энергопотребления, но ценой роста задержек) и повышением во столько же раз частоты «наружного интерфейса» модулей памяти. Так, планируемая частота функционирования первых модулей DDR3 составляет 800 МГц с возможностью роста до 1600 МГц (что ровно в 2 раза превосходит официальный частотный предел DDR2). Принципиальным шагом в этом направлении в 2006 году можно считать о существенно наиболее ранешних сроках анонса и поставок модулей памяти DDR3 — совместно с выходом первых чипсетов семейства . Это только догадки, как оно окажется по сути — поживем, увидим. Самое основное, чтоб ведущие производители платформ (сначала, процессоров и чипсетов) к тому моменту серьезно задумались о том, что «узким местом» системы все в большей и большей мере стают конкретно эти составляющие платформы, а совсем не подсистема памяти. Ведь спектр пропускной возможности будущей DDR3 смотрится очень убедительно — от 12.8 ГБ/с для DDR3-800 (в двухканальном режиме) до 25.6 ГБ/с для DDR3-1600, тогда как обычная полоса пропускания данных снутри процессоров и/либо чипсетов на сей день чуть ли превосходит даже 10 ГБ/с. Как проявили наши недавние исследования, не сильно выручает положение и «двухъядерность» современных процессоров. Так что, чтоб получить настоящую выгоду от DDR3, переделку компонентов платформы придется осуществлять на еще наиболее глубочайшем уровне.